Článek
Samsung začal vyrábět nové NAND paměti 51 nanometrovým procesem. Jednotlivé moduly mají kapacitu 16 Gb - předcházela jim generace 60nm 8 Gb NAND modulů.
Vyšší hustota NAND čipů dovolila akcelerovat jejich rychlost čtení k hodnotě 30 MB za sekundu, dříve to bylo 17 MB za vteřinu, uvedla společnost.
Zvýšila se také rychlost zápisu. Nyní se pohybujeme kolem 8 MB za sekundu, zatímco starší flash paměti uměly pouze 4,4 MB/sec.
Firma dodala, že nové NAND flash paměti pracují velice podobným způsobem jako jejich starší generace a není tedy nutné měnit stávající systémová rozhraní používaná v dnes dostupných zařízeních (například kapesních přehrávačích).
| NAND flash | Nová paměť (51nm) | Současná paměť (60nm) |
| Rychlost čtení | 30MB/s | 17MB/s |
| Rychlost zápisu | 8MB/s | 4.4MB/s |